Bassam Alshabrawi ⚡️
Bassam Alshabrawi ⚡️

@Bassam_Atif

6 تغريدة 14 قراءة Jun 11, 2020
ما يميز BJT هو تحمله للقدرة العالية عند عمله كمفتاح إلكتروني ،لكن يعيبه عدم تحمله لتردد التبديل العالي (switching frequency)،والعكس تماما بالنسبة ل MOSFET، لكن هل يوجد جهاز يعمل كحل وسط بين هذين الجهازين؟
نعم وهو IGBT، وفي هذا الثريد راح نعطيكم فكرة بسيطة عنه.
@Electric_Engg
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
هو مفتاح إلكتروني مكون من ثلاثة أطراف كما هو موضح بالصورة، ويتم التحكم به عن طريق طرف Gate، حيث يتم تطبيق فرق جهد في طرفي Gate و Emmiter مما يسمح بمرور التيار بين طرفي Collector و Emmiter.
عندما ننظر إلى تركبيه الداخلي، فسنرى أنه مكون في الأصل من مفتاحين إلكترونيين، أحدهما MOSFET والذي سيعمل ك Gate، والآخر BJT والذي سيعمل ك Collector -Emmiter.
عند النظر إلى سلوكه، فسنجد أنه شبيه جدا ب MOSFET في أن جهد Gate هو مفتاح التحكم، وفي نفس الوقت شبيه أيضا ب BJT في أن القيمة التي نريد التحكم بها هي Ic.
وطبعا لا ننسى أننا في إلكترونيات القوى فقط يهمنا cut-off (OFF) و saturation (ON).
كما هو واضح في الصورة، فإنIGBT يمتاز بتحمله القدرة العالية، وفي نفس الوقت يمتاز بتردد تبديل تعتبر جيدة بالنسبة ل BJT، لكن مازال هناك فرق واضح في تردد التبديل بينه وبين MOSFET، لذا فهو يعتبر حل وسط بين BJT و MOSFET .
كيف أقرر ايش المفتاح الإلكتروني الذي سأستخدمه في مشروع ما؟
ذلك يعتمد على الجهد والتيار والتردد، فمثلا في حال أردت تردد تبديل عالي جدا لكن لا تحتاج قدرة عالية فاستخدم MOSFET وهكذا.
انتهى.
رتبها لو سمحت!
@Rattibha

جاري تحميل الاقتراحات...